接地層上的溫度效應(yīng)
除了將初始寄生電容偏移引入到測量值中，溫度也是導(dǎo)致寄生接地層電容發(fā)生變化的因素。這一現(xiàn)象可以看成一個隨時間發(fā)生變化的偏移。這些溫度造成的變化由接地層的膨脹和收縮所導(dǎo)致。在傳感器和接地層之間插入一個屏蔽層有助于緩解寄生接地層電容對測量值的影響。
使用FDC1004時的典型實現(xiàn)方式
FDC1004具有驅(qū)動屏蔽驅(qū)動器引腳上400pF負(fù)載的能力。任何大于400pF的負(fù)載將會使屏蔽不能正常有效地發(fā)揮作用。輸入通道與屏蔽之間的配對取決于工作模式。在單端模式中，因為兩個屏蔽引腳在內(nèi)部被短接在一起，CIN1到CIN4可與SHLD1或SHLD2配對。對于差分模式來說，表1列出了相位內(nèi)的情況。
除了將初始寄生電容偏移引入到測量值中，溫度也是導(dǎo)致寄生接地層電容發(fā)生變化的因素。這一現(xiàn)象可以看成一個隨時間發(fā)生變化的偏移。這些溫度造成的變化由接地層的膨脹和收縮所導(dǎo)致。在傳感器和接地層之間插入一個屏蔽層有助于緩解寄生接地層電容對測量值的影響。
使用FDC1004時的典型實現(xiàn)方式
FDC1004具有驅(qū)動屏蔽驅(qū)動器引腳上400pF負(fù)載的能力。任何大于400pF的負(fù)載將會使屏蔽不能正常有效地發(fā)揮作用。輸入通道與屏蔽之間的配對取決于工作模式。在單端模式中，因為兩個屏蔽引腳在內(nèi)部被短接在一起，CIN1到CIN4可與SHLD1或SHLD2配對。對于差分模式來說，表1列出了相位內(nèi)的情況。
表1：針對差分模式的通道和屏蔽配對
例如，如果FDC1004被配置為CH1-CH4的方式，CH1將在相位內(nèi)并與SHLD1配對，而CH4將在相位內(nèi)并與SHLD2配對。
