研究背景

隨著我國(guó)加快實(shí)現(xiàn)“碳達(dá)峰、碳中和”的目標(biāo)，電氣化替代已成為實(shí)現(xiàn)目標(biāo)的關(guān)鍵。近年來(lái)新能源呈爆發(fā)式增長(zhǎng)，充電樁作為新能源汽車(chē)的基礎(chǔ)配套設(shè)備，其數(shù)量與質(zhì)量也是消費(fèi)者選擇電動(dòng)汽車(chē)的重要影響因素。當(dāng)前，MOSFET在國(guó)內(nèi)充電樁企業(yè)批量應(yīng)用，是新能源汽車(chē)充電樁的“心臟”。

MOSFET即金屬－氧化物－半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管，主要有三個(gè)引腳：漏極、源極和柵極，屬于絕緣柵型，其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻。

為什么要測(cè)試MOSFET的好壞？

在充電樁中，開(kāi)關(guān)電源是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，MOS管可以利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制其電流大小，當(dāng)使用有故障的MOS管時(shí)，會(huì)發(fā)生漏極到柵極的短路，對(duì)電路有害，而MOS管是實(shí)現(xiàn)電能高效率轉(zhuǎn)換，確保充電樁穩(wěn)定不過(guò)熱的關(guān)鍵器件，具體測(cè)試方案如下：

1、測(cè)試對(duì)象

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2、測(cè)試要求

VGS:20V左右，VDS：0-1000V，做來(lái)料檢測(cè)，需要能呈現(xiàn)MOS產(chǎn)品規(guī)格書(shū)里的C-V特性曲線(xiàn)，測(cè)試輸入、輸出、反向傳輸電容。

3、測(cè)試過(guò)程

MOSFET或IGBT最重要的四個(gè)寄生參數(shù)：Ciss、Coss、Crss、Rg，Cies、Coes、Cres、Rg均可一鍵測(cè)試，TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀10.1寸大屏可同時(shí)將測(cè)量結(jié)果、等效電路圖、分選結(jié)果等重要參數(shù)同時(shí)顯示，一目了然。

一鍵測(cè)試單管器件器件時(shí)，無(wú)需頻繁切換測(cè)試腳位、測(cè)量參數(shù)、測(cè)量結(jié)果，大大提高了測(cè)試效率。

列表測(cè)試，多個(gè)、多芯、模組器件測(cè)量參數(shù)同屏顯示

TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀支持最多6個(gè)單管器件、6芯器件或6模組器件測(cè)試，所有測(cè)量參數(shù)通過(guò)列表掃描模式同時(shí)顯示測(cè)試結(jié)果及判斷結(jié)果。

曲線(xiàn)掃描功能（選件）

在MOSFET的參數(shù)中，CV特性曲線(xiàn)也是一個(gè)非常重要的指標(biāo)，如下圖

TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀支持C-V特性曲線(xiàn)分析，可以以對(duì)數(shù)、線(xiàn)性?xún)煞N方式實(shí)現(xiàn)曲線(xiàn)掃描，可同時(shí)顯示多條曲線(xiàn)：同一參數(shù)、不同Vg的多條曲線(xiàn)；同一Vg、不同參數(shù)多條曲線(xiàn)。

獨(dú)創(chuàng)的接觸檢查（Contact）功能，提前排除自動(dòng)化測(cè)試隱患

在高速測(cè)試特別是自動(dòng)化測(cè)試中，經(jīng)常會(huì)由于快速插拔或閉合，造成測(cè)試治具或工裝表面磨損而接觸不良，接觸不良造成的最直接后果是誤判測(cè)試結(jié)果而難以發(fā)現(xiàn)，在廢品率突然增加或發(fā)出產(chǎn)品故障原因退回時(shí)才會(huì)發(fā)現(xiàn)，因此是一個(gè)極大的隱患。