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電源模塊熱設(shè)計(jì)分析


  來(lái)源: 致遠(yuǎn)電子 時(shí)間:2015-11-11 作者:Stanford
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儀器儀表商情網(wǎng) 前沿技術(shù)】一摸電源模塊的表面,熱乎乎的,模塊壞了?!且慢,有一點(diǎn)發(fā)熱,僅僅只是因?yàn)樗Φ毓ぷ髦5邷貙?duì)電源模塊的可靠性影響極其大!我們須致力于做好熱設(shè)計(jì),減小電源表面和內(nèi)部器件的溫升。這一次, 我們扒一扒電源模塊的熱設(shè)計(jì)。
       高溫對(duì)功率密度高的電源模塊的可靠性影響極其大。高溫會(huì)導(dǎo)致電解電容的壽命降低,變壓器漆包線(xiàn)的絕緣特性降低,晶體管損壞,材料熱老化,焊點(diǎn)脫落等現(xiàn)象。有統(tǒng)計(jì)資料表明,電子元件溫度每升高2℃,可靠性下降10%。
       對(duì)于電源模塊的熱設(shè)計(jì),它包括兩個(gè)層面:降低損耗和改善散熱條件。
       一、元器件的損耗
       損耗是產(chǎn)生熱量的直接原因,降低損耗是降低發(fā)熱的根本。市面上有些廠(chǎng)家把發(fā)熱元件包在模塊內(nèi)部,使得熱量散不出去,這種方法有點(diǎn)自欺欺人。降低內(nèi)部發(fā)熱元件的損耗和溫升才是硬道理。
       電源模塊熱設(shè)計(jì)的關(guān)鍵器件一般有:MOS管、二極管、變壓器、功率電感、限流電阻等。其損耗如下:
       1、 MOS管的損耗:導(dǎo)通損耗、開(kāi)關(guān)損耗(開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗);
      2、 整流二極管的損耗:正向?qū)〒p耗;
      3、 變壓器、功率電感:鐵損和銅損;
      4、 無(wú)源器件(電阻、電容等):歐姆熱損耗。
      二、熱設(shè)計(jì)
       在設(shè)計(jì)的初期,方案選擇、元器件選擇、PCB設(shè)計(jì)等方面都要考慮到熱設(shè)計(jì)。
       1、方案的選擇
       方案會(huì)直接影響到整體損耗和整體溫升的程度。
       2、元器件的選擇
       元器件的選擇不僅需要考慮電應(yīng)力,還要考慮熱應(yīng)力,并留有一定降額余量。降額等級(jí)可以參考《國(guó)家軍用標(biāo)準(zhǔn)——元器件降額準(zhǔn)則GJB/Z35-93》,該標(biāo)準(zhǔn)對(duì)各類(lèi)元器件的各等級(jí)降額余量作了規(guī)定。設(shè)計(jì)一個(gè)穩(wěn)定可靠的電源,實(shí)在不能任性,必須好好照著各元件的性子,設(shè)計(jì)、降額、驗(yàn)證。圖 1為一些元件降額曲線(xiàn),隨著表面溫度增加,其額定功率會(huì)有所降低。

圖1 降額曲線(xiàn)
        元器件的封裝對(duì)器件的溫升有很大的影響。如由于工藝的差異,DFN封裝的MOS管比DPAK(TO252)封裝的MOS管更容易散熱。前者在同樣的損耗條件下,溫升會(huì)比較小。一般封裝越大的電阻,其額定功率也會(huì)越大,在同樣的損耗的條件下,表面溫升會(huì)比較小。
       設(shè)計(jì)中,要評(píng)估的電阻一般有MOS管的限流檢測(cè)電阻、MOS管的驅(qū)動(dòng)電阻等。限流電阻一般使用1206或更大的封裝,多個(gè)并聯(lián)使用。驅(qū)動(dòng)電阻的損耗也需要考慮,否則可能導(dǎo)致溫升過(guò)高。
       有時(shí),電路參數(shù)和性能看似正常,但實(shí)際上隱藏很大的問(wèn)題。如圖 2所示,某電路基本性能沒(méi)有問(wèn)題,但在常溫下,用紅外熱成像儀一測(cè),不得了了,MOS管的驅(qū)動(dòng)電阻表面溫度居然達(dá)到95.2℃。長(zhǎng)期工作或高溫環(huán)境下,極易出現(xiàn)電阻燒壞、模塊損壞的問(wèn)題。可見(jiàn),研發(fā)過(guò)程中使用熱成像儀測(cè)試元器件的溫度尤其重要,可及時(shí)發(fā)現(xiàn)并定位問(wèn)題點(diǎn)。通過(guò)調(diào)整電路參數(shù),降低電阻的歐姆熱損耗,且將電阻封裝由0603改成0805,大大降低了表面溫度。
圖2驅(qū)動(dòng)電阻表面溫度

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