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2030年全球功率半導(dǎo)體的市場規(guī)模將達到550億美元


  來源: 艾邦半導(dǎo)體網(wǎng) 時間:2024-03-19 編輯:清風(fēng)
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功率半導(dǎo)體就像人體的血液循環(huán)系統(tǒng),將調(diào)整后的電能輸送到對應(yīng)的用電終端。作為電力電子領(lǐng)域的重要組成部分,近年來隨著光伏、電動汽車的快速發(fā)展,功率半導(dǎo)體的價值日益凸顯。


功率半導(dǎo)體技術(shù)主要應(yīng)用于電力轉(zhuǎn)換、傳輸、可再生能源集成、電車充電等多個領(lǐng)域,根據(jù)Yole的預(yù)測,隨著工業(yè)自動化、通信技術(shù)、光伏、電動汽車等滲透率不斷提升,功率器件或?qū)⒕S持長期增長,預(yù)計到2026年,全球功率市場將達到262.74億美元,CAGR為6.9%。另據(jù) Straits Research測算,受益于AI浪潮下消費電子產(chǎn)品的持續(xù)擴張,到2030年,全球功率半導(dǎo)體的市場規(guī)模將達到550億美元。


全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)測


數(shù)據(jù)來源:Straits Research


功率IC占大頭,MOSFET、IGBT地位穩(wěn)固


從功率半導(dǎo)體的市場結(jié)構(gòu)來看,功率半導(dǎo)體可分為功率器件和功率IC兩大類,目前在國內(nèi)功率半導(dǎo)體市場中,占最大比重的是功率IC(54.3%),而在功率器件領(lǐng)域,應(yīng)用較為廣泛的包括金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、整流二極管等,占比分別為16.4%、14.8%、12.4%(數(shù)據(jù)來源:中商產(chǎn)業(yè)研究院)。

汽車是功率半導(dǎo)體下游最主要的應(yīng)用市場,占比超過30%(數(shù)據(jù)來源:Omdia),近年來在新能源車、光伏、風(fēng)電等清潔能源需求的持續(xù)推動下,以MOSFET、IGBT為代表的功率器件需求旺盛,以 IGBT為例,根據(jù)IHS Markit預(yù)測,到2023年我國IGBT市場規(guī)模將達到290.8億元,增長空間巨大。


我國主要功率器件市場規(guī)模及增速

數(shù)據(jù)來源:思瀚產(chǎn)業(yè)研究院、中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)、華福證券研究所


另據(jù)Yole預(yù)測,到2028年功率器件將以MOSFET、IGBT、SiC為主導(dǎo),三者市場份額分別為30%、23%、19%。


功率半導(dǎo)體發(fā)展前景:新材料、新模式

功率半導(dǎo)體自誕生以來,就從基材的迭代、微溝槽結(jié)構(gòu)的優(yōu)化、先進封裝、大尺寸晶圓的應(yīng)用等多個方面進行技術(shù)創(chuàng)新,隨著功率半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,硅基和碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體材料在電力電子領(lǐng)域中逐漸嶄露頭角。

硅是傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體器件的主要材料,例如硅整流二極管和硅IGBT,硅功率半導(dǎo)體器件具有成熟的制造工藝、相對較低的制造成本以及優(yōu)良的可靠性等優(yōu)勢。但隨著電力系統(tǒng)對更高效能量轉(zhuǎn)換和更緊湊設(shè)備需求的增加,硅功率半導(dǎo)體的一些缺點比如較高的導(dǎo)通損耗和受限的工作溫度范圍等也日益顯現(xiàn)。

近年來,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料為代表的化合物半導(dǎo)體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優(yōu)異的性能而備受關(guān)注,其中碳化硅功率器件受下游新能源汽車等行業(yè)需求拉動,市場規(guī)模增速較快。目前,碳化硅整流二極管和碳化硅MOSFET等器件已在電力電子領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。IHS預(yù)計,到2027年碳化硅功率器件的全球市場規(guī)模將超過100億美元,10年復(fù)合增速有望趨近40%。


資料來源:馭勢資本


在功率半導(dǎo)體的設(shè)計制造環(huán)節(jié),目前國際頭部的功率半導(dǎo)體玩家多數(shù)是以“IDM”模式或“IDM加委外代工混合模式”為主,而我國IDM與Fabless的界限相對模糊,國內(nèi)國內(nèi)Fabless選擇與頭部Foundry深度合作,形成了我國獨有的特色工藝模式。國信證券認為,短期內(nèi)我國特色工藝產(chǎn)能增速將高于IDM的產(chǎn)能增速,與IDM的差異化競爭或不顯著。


國產(chǎn)替代空間大,部分領(lǐng)域已取得階段性突破


當(dāng)前,我國功率半導(dǎo)體仍處于初期發(fā)展階段,產(chǎn)業(yè)鏈完整、廠家多、發(fā)展勢頭迅猛,但在器件的生產(chǎn)制造和關(guān)鍵產(chǎn)品需求方面依然存在巨大的缺口,海外依存度仍較高。根據(jù)Omdia統(tǒng)計顯示,全球功率半導(dǎo)體接近60%的份額由海外廠商所壟斷,而我國目前占據(jù)了全球約36%的功率半導(dǎo)體需求,是最大的單一市場,國產(chǎn)替代空間廣闊。

關(guān)鍵詞:功率半導(dǎo)體    瀏覽量:9040

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