現(xiàn)在，大多數(shù)GaN器件使用3英寸或者4英寸線來生產(chǎn)，但據(jù)Strategy Analytics的消息，Qorvo在2016年底可以將其GaN產(chǎn)線升級到6英寸。GaN工藝尺寸正在從0.25至0.5微米向0.15微米轉(zhuǎn)換，技術(shù)領(lǐng)先的廠商已經(jīng)在嘗試60納米。

“GaN是一種寬禁帶材料，”Strategy Analytics的Higham說，“這意味著GaN能夠耐受更高的電壓，也意味著GaN器件的功率密度和可工作溫度更高。所以，與GaAs和磷化銦（InP）等其他高頻工藝相比，GaN器件輸出的功率更大；與LDMOS和SiC（碳化硅）等其他功率工藝相比，GaN的頻率特性更好?！?/span>

將來，5G手機中的PA甚至也可以用GaN來制造?！?/span>GaN也會被采用，特別是在高頻率應(yīng)用?！?/span>Qorvo無線基礎(chǔ)設(shè)施與產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理 Sumit Tomar說。

軍用手機中已經(jīng)開始使用GaN器件，但普通智能手機用上GaN器件還要等上一段時間，因為只有在低功率GaN工藝上取得突破，GaN器件才能放入智能手機。

最困難的一環(huán)：測試測量

測試測量大概是5G生產(chǎn)制造流程中最困難的一環(huán)。與4G射頻芯片相比，毫米波的測試測量有明顯區(qū)別。

“現(xiàn)在幾乎所有的射頻芯片測試都是用一根線纜把射頻芯片和測試設(shè)備連起來，”NI的Hall說，“采用線纜連接射頻芯片和測試設(shè)備是為了避免測試由于路徑損失等原因?qū)е碌牟淮_定性?！?/span>